پودر کاربید سیلیکون سبز (SiC) مورد استفاده در پولیش ویفر نیمه هادی یک ماده کلیدی است. به دلیل سختی بالا، پایداری شیمیایی عالی و پایداری حرارتی، به طور گسترده در فرآیندهای پرداخت دقیق استفاده می شود.
1. ویژگی های کاربید سیلیکون سبز
—سختی بالا (سختی Mohs 9.2): پس از الماس و نیترید بور مکعبی، در رتبه دوم قرار دارد، مناسب برای پردازش مواد سخت (مانند سیلیسیم، ویفرهای کاربید سیلیکون).
—بی اثری شیمیایی: در دمای اتاق با اسیدها و قلیاها واکنش نمی دهد تا از آلودگی سطح ویفر جلوگیری شود.
—پایداری حرارتی: همچنان می تواند عملکرد را در دماهای بالا حفظ کند، مناسب برای پرداخت با سرعت بالا.
– شکل ذرات تیز: توانایی برش کارآمد را فراهم می کند، اما یکنواختی ذرات باید کنترل شود تا از خراش جلوگیری شود.
| آنالیز شیمیایی معمولی | |
| SiC | ≥99.05٪ |
| SiO2 | ≤0.20٪ |
| اف، سی | ≤0.03٪ |
| Fe2O3 | ≤0.10٪ |
| اف سی | ≤0.04٪ |
| خصوصیات فیزیکی معمولی | |
| سختی: | Mohs: 9.5 |
| نقطه ذوب: | سابلایم در 2600 ℃ |
| حداکثر دمای سرویس: | 1900 ℃ |
| وزن مخصوص: | 3.20-3.25g/cm3 |
| چگالی ظاهری (LPD): | 1.2-1.6 گرم بر سانتی متر مکعب |
| رنگ: | سبز |
| شکل ذرات: | شش ضلعی |
2. کاربرد در پرداخت نیمه هادی
—مرحله پرداخت خشن: برای حذف عیوب بزرگتر یا آثار پردازش روی سطح ویفر (مانند لایه های آسیب دیده پس از برش و آسیاب) استفاده می شود.
— پولیش ویفر کاربید سیلیکون (SiC): کاربید سیلیکون سبز با سختی مواد ویفر SiC مطابقت دارد تا آسیب سطح را کاهش دهد.
—کاربردهای کمکی: برای صیقل دادن مواد سخت و شکننده مانند بسترهای یاقوت کبود و شیشه های نوری استفاده می شود.
3. الزامات کیفیت کلیدی
— توزیع اندازه ذرات: باید بسیار یکنواخت باشد (مانند D50 1-5μm) تا از خراشیدگی ناشی از ذرات بزرگ جلوگیری شود.
— خلوص: خلوص بالا (≥99.9٪) برای کاهش آلودگی توسط ناخالصی های فلزی (مانند Fe، Al).
—مورفولوژی ذرات: برای کاهش زبری سطح باید کروی یا هم سطح باشد.
—Suspension: پراکندگی پایدار در مایع پولیش برای جلوگیری از رسوب.
